.jpg)
ST STD60NF3LLT4
N-канальный30 V60A (Tc)1 В @ 250 мкА100 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTD60NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Нет технического описания
₽50.72
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This application specific Power MOSFET is the third genaration of STMicroelectronics unique “Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows the best trade-off between on-resistance ang gate charge. When used as high and low side in buck regulators, it gives the best performance in terms of both conduction and switching losses. This is extremely important for motherboards where fast switching and high efficiency are of paramount importance.
Features
STripFET™ II Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 700 mJ
a continuous drain current (ID) of 60A
a drain-to-source breakdown voltage of 30V voltage
the turn-off delay time is 36.5 ns
based on its rated peak drain current 240A.
DPAK Supplier Device Package
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STD60NF3LLT4 applications of single MOSFETs transistors.
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 60A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 9,5 мОм @ 30 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 40 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2210 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 100 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223