Свяжитесь с нами
pусский
STD6NM60N

ST STD6NM60N

N-канальный600 V4.6A (Tc)4 В @ 250 мкА45 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
STMicroelectronics
STD6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
STD6NM60N Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽25.23

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The STD6NK50ZT4 is MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK, that includes SuperMESH? Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type is designed to work in Surface Mount, as well as the D-Pak Supplier Device Package, the device can also be used as MOSFET N-Channel, Metal Oxide FET Type. In addition, the Power Max is 90W, the device is offered in 500V Drain to Source Voltage Vdss, the device has a 690pF @ 25V of Input Capacitance Ciss Vds, and FET Feature is Standard, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 5.6A (Tc), and Rds On Max Id Vgs is 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V, and the Vgs th Max Id is 4.5V @ 50μA, and Gate Charge Qg Vgs is 24.6nC @ 10V.

STD6NM60-1 with circuit diagram manufactured by ST. The STD6NM60-1 is available in TO-251-3 Package, is part of the IC Chips.

Features

MDmesh™ II Series
the avalanche energy rating (Eas) is 65 mJ
a continuous drain current (ID) of 4.6A
a drain-to-source breakdown voltage of 600V voltage
the turn-off delay time is 40 ns

DPAK Supplier Device Package

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
STD6NM60N applications of single MOSFETs transistors.

  • LCD/LED TV
  • Consumer Appliances
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4.6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 920 мОм @ 2,3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 13 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 420 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z