Свяжитесь с нами
pусский
STD80N6F6

ST STD80N6F6

N-канальный60 V80A (Tc)4,5 В @ 250 мкА120 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
STMicroelectronics
STD80N6F6
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
STD80N6F6 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽45.98

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • AEC-Q101 qualified

  • Very low on-resistance

  • Very low gate charge

  • High avalanche ruggedness

  • Low gate drive power loss



DPAK Supplier Device Package

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6,5 мОм @ 40 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 122 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7480 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 120 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z