.jpg)
ST STD9NM50N
N-канальный500 V5A (Tc)4 В @ 250 мкА45 Вт (Тс)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTD9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
₽157.93
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Features
MDmesh™ II Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 150 mJ
a continuous drain current (ID) of 5A
a drain-to-source breakdown voltage of 500V voltage
the turn-off delay time is 45 ns
DPAK Supplier Device Package
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STD9NM50N applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
_tmb.jpg)
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 790 мОм @ 2,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 14 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 570 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB