ST STE110NS20FD
N-канальный200 V110A (Tc)4 В @ 250 мкА500 Вт (Тс)150°C (TJ)Крепление на шасси
СравнитьSTE110NS20FD
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
₽418.24
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
STE110-50T1KI with pin details, that includes SuperTanR Extended STE Series, they are designed to operate with a Hermetically Sealed Type, Packaging is shown on datasheet note for use in a Bulk, that offers Package Case features such as Axial, Capacitance is designed to work in 110μF, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 125°C, the device can also be used as Through Hole Mounting Type. In addition, the Features is Wet Tantalum, the device is offered in 50V Voltage Rated, the device has a 0.219" Dia x 0.453" L (5.56mm x 11.51mm) of Size Dimension, and Tolerance is ±10%, and the ESR Equivalent Series Resistance is 1.6 Ohm, and Manufacturer Size Code is T1.
STE110NA20 with circuit diagram manufactured by ST. The STE110NA20 is available in MODULE Package, is part of the Module.
Features
MESH OVERLAY™ Series100% avalanche tested
Gate charge minimized
Low intrinsic capacitance
Extremely high dv/dt capability
Fast body-drain diode:low trr, Qrr
± 20V gate to source voltage rating
Applications
Industrial
Automotive
Personal electronics
Switching application
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MESH OVERLAY™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 110A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 24 мОм @ 50 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 504 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7900 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 500 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Крепление на шасси
Поставщик Упаковка устройства: ISOTOP®
Упаковка / Кейс: ISOTOP
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP