ST STF15N65M5
N-канальный650 V11A (Tc)5 В @ 250 мкА30 Вт (Тс)150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTF15N65M5
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
₽43.62
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Features
MDmesh™ V Seriesa continuous drain current (ID) of 11A
a drain-to-source breakdown voltage of 650V voltage
the turn-off delay time is 30 ns
based on its rated peak drain current 44A.
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STF15N65M5 applications of single MOSFETs transistors.
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
- DC-to-DC converters
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STF14NM65N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STF12NM50ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
STF14NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
STF140N6F7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
STF13NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STF13NK50Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ V
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 340 мОм при 5,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 22 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 816 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP