ST STF18NM80
N-канальный800 V17A (Tc)5 В @ 250 мкА40 Вт (Тс)150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTF18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
₽102.48
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Features
MDmesh™ Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 600 mJ
a continuous drain current (ID) of 17A
a drain-to-source breakdown voltage of 800V voltage
the turn-off delay time is 96 ns
based on its rated peak drain current 68A.
a threshold voltage of 4V
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STF18NM80 applications of single MOSFETs transistors.
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 295 мОм @ 8,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 70 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2070 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB