Свяжитесь с нами
pусский
STF23NM60ND

ST STF23NM60ND

N-канальный600 V19,5A (Tc)5 В @ 250 мкА35 Вт (Тс)150°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
STMicroelectronics
STF23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
STF23NM60ND Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽27.65

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The STF23NM50N is MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP, that includes N-channel MDmesh Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.011640 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-220-3, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 30 W of Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 29 ns, and the Rise Time is 19 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 25 V, and the Id Continuous Drain Current is 17 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 500 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 190 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 71 ns, and Typical Turn On Delay Time is 6.6 ns, and the Qg Gate Charge is 45 nC, and Channel Mode is Enhancement.

The STF23NM60N is MOSFET N-CH 600V 19A TO-220FP manufactured by ST. The STF23NM60N is available in TO-220-3 Full Pack Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 600V 19A TO-220FP, N-Channel 600V 19A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP.

Features

FDmesh™ II Series


Low gate input resistance

High dv/dt and avalanche capabilities

The worldwide best RDS(on) * area amongst the fast recovery diode devices

100% avalanche tested

Low input capacitance and gate charge



Through Hole Mounting Type

Applications


Switching

Lights Control

Motor Control

MCU

Laptop

Home Appliances

Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: FDmesh™ II
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 19,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 180 мОм @ 10 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 70 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2050 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 35 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z