ST STF3NK100Z
N-канальный1000 V2,5A (Tc)4,5 В @ 50 мкА25 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTF3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
₽126.39
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
Features
SuperMESH™ Seriesa continuous drain current (ID) of 2.5A
a drain-to-source breakdown voltage of 1kV voltage
the turn-off delay time is 39 ns
a threshold voltage of 3.75V
a 1000V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STF3NK100Z applications of single MOSFETs transistors.
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STF3HNK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
STF30NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STF2HNK60Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP
STF33N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
STF28NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
STF28N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperMESH™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6 Ом @ 1,25 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 50 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 18 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 601 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 25 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223