ST STF45N10F7
N-канальный100 V30A (Tc)4,5 В @ 250 мкА25 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTF45N10F7
MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP
Нет технического описания
₽23.40
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Features
DeepGATE™, STripFET™ VII SeriesUltra-low on-resistance
100% avalanche tested
Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 30 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 25 nC
Rise Time (tr): 17 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 360 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.018 Ohm
Package: TO-220FP
Applications
Switching applications
Audio Amplifier Stages
Switching load of up to -10A
High voltage applications (Up to 140V)
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: DeepGATE™, STripFET™ VII
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 30A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 18 мОм @ 15 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 25 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: 20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1640 пФ при 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 25 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3