ST STF5N52U
N-канальный525 V4.4A (Tc)4,5 В @ 50 мкА25 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTF5N52U
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
₽10.66
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
STF5N105K5 with pin details, that includes MDmesh K5 Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.011640 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-220-3, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 25 W of Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 24 ns, and the Rise Time is 8.5 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 30 V, and the Id Continuous Drain Current is 3 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 1050 V, and the Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 3 V, and Rds On Drain Source Resistance is 2.9 Ohms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Typical Turn Off Delay Time is 31 ns, and the Typical Turn On Delay Time is 15.5 ns, and Qg Gate Charge is 12.5 nC, and the Channel Mode is Enhancement.
The STF57N65M5 is MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP, that includes 26.5 A Id Continuous Drain Current, they are designed to operate with a Through Hole Mounting Style, Number of Channels is shown on datasheet note for use in a 1 Channel, that offers Package Case features such as TO-220-3, Packaging is designed to work in Tube, as well as the 40 W Pd Power Dissipation, the device can also be used as 63 mOhms Rds On Drain Source Resistance. In addition, the Series is MDmesh M5, the device is offered in Si Technology, the device has a N-Channel of Transistor Polarity, and Transistor Type is 1 N-Channel, and the Unit Weight is 0.011640 oz, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 650 V.
Features
UltraFASTmesh™ SeriesOutstanding dv/dt capability
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Very low RDS(on)
Extremely low trr
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFASTmesh™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 525 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4.4A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,5 Ом @ 2,2A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 50 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 16,9 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 529 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 25 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP