ST STFW4N150
N-канальный1500 V4A (Tc)5 В @ 250 мкА63 Вт (Тс)150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTFW4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
₽68.44
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of very high voltage Power MOSFETs with outstanding performances.
The strengthened layout coupled with the companys proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.
Features
PowerMESH™ SeriesIntrinsic capacitances and Qg minimized
High-speed switching
Fully isolated TO-3PF plastic packages
100% avalanche tested
The creepage distance path is 5.4 mm (Typ.) for TO-3PF
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STFW12N120K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT
STF9N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
STF8NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
STF8NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
STF8N80K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
STFN42
STMicroelectronics
TRANS NPN 400V 1A SOT89-3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerMESH™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 7 Ом @ 2A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 50 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1300 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 63 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-3PF
Упаковка / Кейс: TO-3P-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3