ST STFW6N120K3
N-канальный1200 V6A (Tc)5 В @ 100 мкА63 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
₽1678.80
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The STFW4N150 is MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF, that includes N-channel MDmesh Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.245577 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-3P-3, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 63 W Pd Power Dissipation, the device has a 4 A of Id Continuous Drain Current, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 1500 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 7 Ohms, and Transistor Polarity is N-Channel.
STFW45N65M5 with circuit diagram, that includes Through Hole Mounting Style, they are designed to operate with a TO-3PF Package Case, Series is shown on datasheet note for use in a MDmesh M5, that offers Technology features such as Si, Unit Weight is designed to work in 0.245577 oz.
Features
SuperMESH3™ Series100% avalanche tested
Extremely large avalanche performance
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Zener-protected
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperMESH3™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,4 Ом @ 2,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 34 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1050 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 63 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-3PF
Упаковка / Кейс: TO-3P-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247