ST STH12N120K5-2
N-канальный1200 V12A (Tc)5 В @ 100 мкА250 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
₽129.70
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Features
MDmesh™ K5 Seriesa continuous drain current (ID) of 12A
a drain-to-source breakdown voltage of 1.2kV voltage
the turn-off delay time is 68.5 ns
based on its rated peak drain current 48A.
a 1200V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STH12N120K5-2 applications of single MOSFETs transistors.
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ K5
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 12A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 690 мОм @ 6А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 44,2 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1370 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 250 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: H2Pak-2
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP