ST STH270N8F7-6
N-канальный80 V180A (Tc)4 В @ 250 мкА315 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
₽480.81
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Features
DeepGATE™, STripFET™ VII Seriesa continuous drain current (ID) of 180A
a drain-to-source breakdown voltage of 80V voltage
the turn-off delay time is 98 ns
H²PAK Supplier Device Package
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STH270N8F7-6 applications of single MOSFETs transistors.
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
- DC-to-DC converters
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: DeepGATE™, STripFET™ VII
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 180A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,1 мОм @ 90 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 193 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 13600 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 315 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: H²PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-7, D²Pak (6 выводов + накладка)
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3