Свяжитесь с нами
pусский
STL130N8F7

ST STL130N8F7

N-канальный80 V130A (Tc)4,5 В @ 250 мкА135 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
STMicroelectronics
STL130N8F7
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
STL130N8F7 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽109.12

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

 Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Applications  Switching applications Description 

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. 

Features

DeepGATE™, STripFET™ VII Series


  • Among the lowest RDS(on) on the market

  • Excellent FoM (figure of merit)

  • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

  • High avalanche ruggedness



PowerFlat™ (5x6) Supplier Device Package

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: DeepGATE™, STripFET™ VII
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 130A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,6 мОм @ 13 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 96 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6340 пФ @ 40 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 135 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PowerFlat™ (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z