ST STL6N3LLH6
N-канальный30 V13A (Tc)1 В @ 250 мкА (мин.)2,4 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTL6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
₽41.55
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
Features
DeepGATE™, STripFET™ VI Series? Very low on-resistance
? Very low gate charge
? High avalanche ruggedness
? Low gate drive power loss
Applications
? Switching applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STL40DN3LLH5
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
STL65DN3LLH5
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
STL40C30H3LL
STMicroelectronics
MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT
STL3NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
STL56N3LLH5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
STL6N2VH5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: DeepGATE™, STripFET™ VI
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 13A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 25 мОм @ 3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА (мин.)
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 3,6 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 283 пФ @ 24 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,4 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PowerFlat™ (2x2)
Упаковка / Кейс: 6-PowerWDFN
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP