Свяжитесь с нами
pусский
STL8DN10LF3

ST STL8DN10LF3

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)100V20A35 мОм @ 4 А, 10 В3 В @ 250 мкА

Сравнить
STMicroelectronics
STL8DN10LF3
MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
STL8DN10LF3 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽76.61

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
100V Drain to Source Voltage (Vdss)
20A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35mOhm @ 4A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
20.5nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
970pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
70W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
PowerFlat™ (5x6) Supplier Device Package

Applications


Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

Logic level VGS(th)

175 ??C maximum junction temperature

100% avalanche rated

Wettable flank package


STL8DN10LF3         Applications


Switching applications

  

 





Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ III
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 20A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 35 мОм @ 4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 20,5nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 970 пФ @ 25 В
Максимальная мощность: 70W
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
Поставщик Упаковка устройства: PowerFlat™ (5x6)
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z