Свяжитесь с нами
pусский
CSD19537Q3

TI CSD19537Q3

N-канальный100 V50A (Ta)3,6 В @ 250 мкА2,8 Вт (Ta), 83 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Texas Instruments
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
CSD19537Q3 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽22.23

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

This 100-V, 12.1-mΩ, SON 3.3-mm × 3.3-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

• Primary Side Isolated Converters • Motor Control

Features

NexFET™ Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
50A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
14.5mOhm @ 10A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
21 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1680 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.8W (Ta), 83W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type

Applications

 

Ultra-Low Resistance

Low Thermal Resistance

Avalanche Rated

Pb Free Terminal Plating

RoHS Compliant

Halogen Free

 

 

CSD19537Q3 Applications

 

Solid State Relay Switch

DC-DC Conversion

Secondary Side Synchronous Rectifier

Isolated Converter Primary Side Switch

Motor Control


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: NexFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 50A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 14,5 мОм @ 10 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,6 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 21 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1680 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,8 Вт (Ta), 83 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-VSON (3.3x3.3)
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
Texas Instruments

Texas Instruments

Texas Instruments (TI) - ведущая мировая полупроводниковая компания, специализирующаяся на разработке и производстве аналоговых и встраиваемых процессоров. Основанная в 1930 году, со штаб-квартирой в Далласе, штат Техас, компания TI использует свою продукцию в широком спектре промышленных, автомобильных, персональных электронных, коммуникационных устройств и корпоративных систем и посвящает себя продвижению инноваций и повсеместному распространению электронных устройств с помощью полупроводниковых технологий.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z