Infineon AUIRF4905STRL
P-канал55 V42A (Tc)4 В @ 250 мкА200 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRF4905STRL
AUIRF4905S - 20V-150V P-CHANNEL
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Features
Bulk PackageAdvanced Planar Technology
P-Channel MOSFET
Low On-Resistance
150??C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF2804S-7P
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
AUIRF2804S-7P
Infineon Technologies
PFET, 240A I(D), 40V, 0.0016OHM,
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF2807
Infineon Technologies
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRF3004WL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
AUIRF2804S-7P
Infineon Technologies
AUIRF2804 - 20V-40V N-CHANNEL AU
AUIRF4905S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF3710ZS
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
AUIRF2807
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
AUIRF3004WL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 42A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 20 мОм @ 42 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 180 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3500 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO263-3
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO