Infineon AUIRF7103QTR
MOSFET (оксид металла)2 N-канала (сдвоенные)50V3A130 мОм @ 3 А, 10 В3 В @ 250 мкА
СравнитьAUIRF7103QTR
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
₽44.85
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
50V Drain to Source Voltage (Vdss)
3A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130mOhm @ 3A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
15nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
255pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.4W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
AUIRF4905S - 20V-150V P-CHANNEL
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF4905S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF3710ZS
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
AUIRF5210S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 50V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 130 мОм @ 3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 15nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 255пФ @ 25 В
Максимальная мощность: 2.4W
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN