Infineon AUIRF7313Q
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)30V6.9A29 мОм @ 6,9 А, 10 В3 В @ 250 мкА
СравнитьAUIRF7313Q
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
₽21.85
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Advanced Planar Technology
Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Features
HEXFET® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
30V Drain to Source Voltage (Vdss)
6.9A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29mOhm @ 6.9A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
33nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
755pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.4W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
AUIRF4905S - 20V-150V P-CHANNEL
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF4905S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
AUIRF3710ZS
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
AUIRF5210S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6.9A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 29 мОм @ 6,9 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 33nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 755 пФ @ 25 В
Максимальная мощность: 2.4W
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP