Свяжитесь с нами
pусский
AUIRFR8403

Infineon AUIRFR8403

N-канальный40 V100A (Tc)3,9 В @ 100 мкА99 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
AUIRFR8403
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
AUIRFR8403 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽142.01

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Advanced Process Technology New Ultra Low On-Resistance 175�C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *

Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Bond wire current limit 100A by source bonding technology. Note that current limitations arising from heating of the device leads may occur with some lead mounting arrangements. (Refer to AN-1140) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. Limited by TJmax, starting = 50, IAS = 76A, VGS =10V. Part not recommended for use above this value. ISD 76A, di/dt 1255A/s, VDD V(BR)DSS, TJ 175�C. Pulse width 400s; duty cycle 2%. Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time as Coss while VDS is rising from to 80% VDSS. Coss eff. (ER) is a fixed capacitance that gives the same energy as Coss while VDS is rising from to 80% VDSS. When mounted on 1" square PCB or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note R is measured T J approximately 90�C. Pulse drain current is limited by source bonding technology.

Features

HEXFET® Series


  • Technology for Advanced Processes

  • Introducing New Ultra Low On-Resistance

  • Operating temperature of 175 °C

  • Quick Switching

  • Recurrent Avalanche Permitted up to Tjmax

  • Lead-free and compliant with RoHS

  • Automotive Competent *



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • EPS (Electric Power Steering)

  • Charger Switch

  • Micro Hybrid Start/Stop

  • Large Loads

  • Converter for DC-DC


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 100A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,1 мОм @ 76 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,9 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 99 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3171 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 99 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D-Pak
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z