Infineon AUIRFS4310ZTRL
N-канальный100 V120A (Tc)4 В @ 150 мкА250 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRFS4310ZTRL
AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
₽309.48
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® Seriesa continuous drain current (ID) of 120A
a drain-to-source breakdown voltage of 100V voltage
the turn-off delay time is 55 ns
based on its rated peak drain current 560A.
D2PAK Supplier Device Package
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
AUIRFS4310ZTRL applications of single MOSFETs transistors.
- LCD/LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRFS4310
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
AUIRFS3107TRL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
AUIRFS4310
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
AUIRFS3004-7P
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
AUIRFS3006-7P
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
AUIRFS3107
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
AUIRFS4127
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 120A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6 мОм @ 75A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 150 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 170 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6860 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 250 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223