Свяжитесь с нами
pусский
AUIRFS4610

Infineon AUIRFS4610

N-канальный100 V73A (Tc)4 В @ 100 мкА190 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
AUIRFS4610
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
AUIRFS4610 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽17.59

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The AUIRFS4410Z is MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a 0.139332 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as TO-252-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Dual Drain Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 250 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 57 ns, and Rise Time is 52 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and Id Continuous Drain Current is 97 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 100 V, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 2 V to 4 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 9 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 43 ns, and Typical Turn On Delay Time is 16 ns, and the Qg Gate Charge is 83 nC, and Forward Transconductance Min is 140 S, and the Channel Mode is Enhancement.

AUIRFS4410ZTRR with circuit diagram manufactured by IR. The AUIRFS4410ZTRR is available in TO-263 Package, is part of the IC Chips.

Features

HEXFET® Series


  • Fast switching

  • Fully avalanche rated 

  • 175??C operating temperature 

  • Available in the D2Pak package

  • Enhanced dV/dT and dI/dT capability



D2PAK Supplier Device Package

Applications


  • Automotive applications


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 73A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 14 мОм @ 44 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 140 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3550 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 190 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z