Свяжитесь с нами
pусский
AUIRLL2705

Infineon AUIRLL2705

N-канальный55 V5,2A (Ta)2 В @ 250 мкА1 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
AUIRLL2705
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
AUIRLL2705 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The AUIRLL024NTR is MOSFET 55V Logic Level 3.1A 65 mOhm Auto MOSFET, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a 0.006632 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as SOT-223-4, Technology is designed to work in Si, as well as the 2.1 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C. In addition, the Id Continuous Drain Current is 4.4 A, the device is offered in 55 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, the device has a 65 mOhms of Rds On Drain Source Resistance, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Qg Gate Charge is 10.4 nC.

The AUIRLL024N is MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223 manufactured by IR. The AUIRLL024N is available in TO-261-4, TO-261AA Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223, N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223.

Features

HEXFET® Series


  • Low on-resistance per silicon area

  • Latest processing techniques

  • Fast switching speed

  • Ruggedized device design

  • Available in the SOT-223 package



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Synchronous rectification

  • Uninterruptible power supplies

  • Switching applications


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5,2A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 40 мОм @ 3,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 48 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 870 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z