Свяжитесь с нами
pусский
BCR183SH6433XTMA1

Infineon BCR183SH6433XTMA1

100 мА10 кОм200 МГц

Сравнить
Infineon Technologies
BCR183SH6433XTMA1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽4.39

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The BCR 183 E6327 is Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR, that includes BCR183 Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a BCR183E6327HTSA1 BCR183E6327XT SP000010794, that offers Unit Weight features such as 0.050717 oz, Mounting Style is designed to work in SMD/SMT, as well as the SOT-23-3 Package Case, the device can also be used as Single Configuration, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 65 C, the device has a 50 V of Collector Emitter Voltage VCEO Max, and Transistor Polarity is PNP, and the DC Collector Base Gain hfe Min is 30, and Typical Input Resistor is 10 kOhms, and the Typical Resistor Ratio is 1, and Peak DC Collector Current is 100 mA.

The BCR 183S H6327 is Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a BCR183SH6327XT BCR183SH6327XTSA1 SP000756882 Part Aliases, Series is shown on datasheet note for use in a BCR183.

Features

Tape & Reel (TR) Package
100mA Current - Collector (Ic) (Max)
50V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
10kOhms Resistor - Base (R1)
10kOhms Resistor - Emitter Base (R2)
30 @ 5mA, 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300mV @ 500µA, 10mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200MHz Frequency - Transition
250mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Не для новых разработок
Тип транзистора: 2 PNP - предварительно соединенные (сдвоенные)
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 100 мА
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 50V
Базовый резистор (R1): 10 кОм
Базовый резистор эмиттера (R2): 10 кОм
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 30 @ 5 мА, 5 В
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 300 мВ при 500 мкА, 10 мА
Частота - Переход: 200 МГц
Максимальная мощность: 250 мВт
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-ВСОП, SC-88, SOT-363
Поставщик Упаковка устройства: PG-SOT363-PO
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z