Infineon BSC037N08NS5ATMA1
N-канальный80 V100A (Tc)3,8 В @ 72 мкА2,5 Вт (Ta), 114 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьBSC037N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
₽93.29
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
OptiMOS™ Seriesa continuous drain current (ID) of 100A
a drain-to-source breakdown voltage of 80V voltage
the turn-off delay time is 26 ns
based on its rated peak drain current 400A.
a threshold voltage of 3V
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
BSC037N08NS5ATMA1 applications of single MOSFETs transistors.
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
- DC-to-DC converters
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 100A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,7 мОм @ 50 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,8 В @ 72 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 58 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4200 пФ @ 40 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 114 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-TDSON-8-7
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223