Infineon BSO094N03S
N-канальный30 V10A (Ta)2 В @ 30 мкА1,56 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьBSO094N03S
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
₽5.05
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
BSO080P03SNTMA1 with pin details manufactured by Infineon. The BSO080P03SNTMA1 is available in SOP8 Package, is part of the IC Chips, P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8, Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R.
The BSO083N03MS G is MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO manufactured by INFINE0N. The BSO083N03MS G is available in 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO.
Features
OptiMOS™ Seriesa continuous drain current (ID) of 10A
a drain-to-source breakdown voltage of 30V voltage
the turn-off delay time is 22 ns
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
BSO094N03S applications of single MOSFETs transistors.
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Снято с производства в
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 10A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 9,1 мОм @ 13 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 30 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 18 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2300 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,56 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-DSO-8
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK