Infineon BSS223PWH6327XTSA1
P-канал20 V390 мА (Ta)1,2 В @ 1,5 мкА250 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьBSS223PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
₽3.46
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
Enhancement modeAvalanche ratedLow switching and conduction power lossesPb-free lead plating; RoHS compliantStandard packagesOptiMOS™ P-Channel Series: Temperature range from -55°C to +175°C
Features
OptiMOS™ Seriesa continuous drain current (ID) of 390mA
the turn-off delay time is 5.1 ns
a threshold voltage of -900mV
a 20V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
BSS223PWH6327XTSA1 applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 390 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,5 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,2 Ом @ 390 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,2 В @ 1,5 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 0,62 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±12V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 56 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-SOT323
Упаковка / Кейс: SC-70, SOT-323
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK