Infineon IGO60R070D1AUMA1
N-канальный600 V31A (Tc)1,6 В @ 2,6 мА125 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
₽1363.94
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The IGD616IT1 is Power Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver, that includes IGD616 Series, they are designed to operate with a IGBT Drivers Product, Packaging is shown on datasheet note for use in a Bulk, that offers Part Aliases features such as LE--IGD616IT1-0, Output Power is designed to work in 6 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 85 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 40 C. In addition, the Input Voltage MAX is 16 V, the device is offered in 16 A Output Current, the device has a 150 kHz of Switching Frequency, and Collector Emitter Voltage VCEO Max is 1.7 kV, and the Fall Time is 80 ns, and Input Voltage MIN is 14 V, and the Rise Time is 100 ns.
IGKC75129-002 with EDA / CAD Models manufactured by MAT. The IGKC75129-002 is available in QFN Package, is part of the IC Chips.
Features
CoolGaN™ Seriesa 600V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
IGO60R070D1AUMA1 applications of single MOSFETs transistors.
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolGaN™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 31A (Tc)
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,6 В @ 2,6 мА
Максимальное напряжение источника затвора: -10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 380 пФ при 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-DSO-20-85
Пакет / футляр: 20-PowerSOIC (ширина 0,433", 11,00 мм)
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223