Infineon IPB027N10N5ATMA1
N-канальный100 V120A (Tc)3,8 В @ 184 мкА250 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
₽306.34
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB027N10N5ATMA1 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Features
OptiMOS™ Series?Perfect for high-frequency switching and synchronization.
?Amazing gate charge x Rdq(product) (FOM)
?Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm Rdsm
?Normal level, N-channel
?Avalanche-proofed to the nth degree
?Plating without pt>; RoHS compliance
?Qualified for target applications according to JEDEC*1
?According to IEC61249-2-21, it is halogen-free.
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 120A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,7 мОм при 100 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,8 В @ 184 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 139 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 10300 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 250 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO263-3
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK