Infineon IPLU300N04S4R8XTMA1
N-канальный40 V300A (Tc)4 В @ 230 мкА429W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIPLU300N04S4R8XTMA1
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
₽138.62
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
IPLU300N04S4-R8 with pin details, that includes XPLU300N04 Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a IPLU300N04S4R8XTMA1 SP001063102, that offers Technology features such as Si, Number of Channels is designed to work in 1 Channel, as well as the 1 N-Channel Transistor Type, the device can also be used as N-Channel Transistor Polarity.
IPLU300N04S4R7XTMA2 with circuit diagram manufactured by infineon. The IPLU300N04S4R7XTMA2 is available in TOLL-SMD Package, is part of the IC Chips.
Features
OptiMOS™ SeriesN-channel - Enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Ultra-low Rds(on)
100% Avalanche tested
AOI (Automatic Optical Inspection) capability included
Applications
High current automotive applications
Electronic power steering - EPS
Battery management – start stop
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 300A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 0,77 мОм при 100 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 230 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 287 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 22945 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 429W (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-HSOF-8-1
Пакет / футляр: 8-PowerSFN
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO