Infineon IPN50R3K0CE
N-канальный500 V2.6A (Tc)3,5 В @ 30 мкА5 Вт (Тс)-40°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIPN50R3K0CE
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
₽56.14
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
Features
CoolMOS™ CE SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
500 V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.6A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3Ohm @ 400mA, 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5V @ 30µA Vgs(th) (Max) @ Id
4.3 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
84 pF @ 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™ CE
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2.6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 13V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3 Ом @ 400 мА, 13 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,5 В @ 30 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 4,3 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 84 пФ при 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 5 Вт (Тс)
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-SOT223
Упаковка / Кейс: TO-261-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB