Свяжитесь с нами
pусский
IPN80R1K4P7

Infineon IPN80R1K4P7

N-канальный800 V4A (Tc)3,5 В @ 70 мкА7 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IPN80R1K4P7
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPN80R1K4P7 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽49.93

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The IPN10ELSXUMA1 is IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP, that includes Automotive Series, they are designed to operate with a Half-Bridge Drivers Product, Type is shown on datasheet note for use in a Half-Bridge, that offers Packaging features such as Tape & Reel (TR), Mounting Style is designed to work in SMD/SMT, as well as the Surface Mount Package Case, it has an Operating Temperature range of 380ns, 380ns. In addition, the Mounting Type is -40°C ~ 150°C (TJ), the device is offered in 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Supplier Device Package, the device has a 2 of Resolution Bits, and Data Interface is Independent, and the Voltage Supply Analog is Non-Inverting, and Configuration is Half Bridge, and the Number of ADCs DACs is , and Sigma Delta is 4 V ~ 40 V, and the S N Ratio ADCs DACs db Typ is 0.8V, 3.5V, and Dynamic Range ADCs DACs db Typ is 400mA, 400mA, and the Number of Outputs is 2, and Operating Supply Current is 25 mA, and the Fall Time is 380 ns, and Rise Time is 380 ns, and the Part # Aliases is IPN10EL-S SP000862494, and Supply Voltage Max is 40 V, and the Number of Drivers is 2 Driver.

IPN60R1K0CEATMA1 with EDA / CAD Models manufactured by Infineon. The IPN60R1K0CEATMA1 is available in SOT223 Package, is part of the IC Chips, CONSUMER, Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R.

Features

CoolMOS™ Series
Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
800 V Drain to Source Voltage (Vdss)
4A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.4Ohm @ 1.4A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5V @ 70µA Vgs(th) (Max) @ Id
10 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
250 pF @ 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,4 Ом @ 1,4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,5 В @ 70 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 10 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 250 пФ при 500 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 7 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-SOT223
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z