Infineon IPW65R080CFDFKSA1
N-канальный700 V43,3A (Tc)4,5 В @ 1,76 мА391W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIPW65R080CFDFKSA1
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
₽699.58
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7
650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Features
CoolMOS™ Series
Easy to design-in
Lower price compared to 600V CFD technology
Significant Qg reduction compared to 600V CFD technology
Tighter RDS(on) max to RDS(on) typ window
Limited voltage overshoot during hard commutation
Through Hole Mounting Type
Applications
IPW65R080CFDFKSA1 Applications
Telecom
Server
Solar
HID lamp ballast
LED lighting
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
_tmb.jpg)
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™
Пакет: Трубка
Статус части: Последняя покупка
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 700 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 43,3A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 80 мОм @ 17,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 1,76 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 170 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 5030 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 391W (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO247-3-1
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223