Свяжитесь с нами
pусский
IRF7495PBF

Infineon IRF7495PBF

N-канальный100 V7,3A (Ta)4 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IRF7495PBF
HEXFET POWER MOSFET
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Benefits● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications● High frequency DC-DC converters

Features

HEXFET® Series


  • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • High-frequency DC-DC converters

  • Lead-Free


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7,3A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 22 мОм @ 4,4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 51 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1530 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SO
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z