Infineon IRF8301MTRPBF
N-канальный30 V34A (Ta), 192A (Tc)2,35 В @ 150 мкА2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRF8301MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
₽121.67
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
34A (Ta), 192A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5mOhm @ 32A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.35V @ 150µA Vgs(th) (Max) @ Id
77 nC @ 4.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
6140 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.8W (Ta), 89W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
DIRECTFET™ MT Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric MT Package / Case
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 34A (Ta), 192A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,5 мОм @ 32 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,35 В @ 150 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 77 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6140 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc)
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DIRECTFET™ MT
Упаковка / Кейс: Изометрическая МТ DirectFET™
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23