Infineon IRFR1010Z
N-канальный55 V42A (Tc)4 В @ 100 мкА140 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRFR1010Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
₽11.03
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Specifically designed for Automotive applications, this MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications
Features
HEXFET® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
55 V Drain to Source Voltage (Vdss)
42A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5mOhm @ 42A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 100µA Vgs(th) (Max) @ Id
95 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
2840 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 42A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 7,5 мОм @ 42 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 95 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2840 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 140 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D-Pak
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK