Infineon IRFS23N15D
N-канальный150 V23A (Tc)5,5 В @ 250 мкА3,8 Вт (Ta), 136 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRFS23N15D
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
₽47.92
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The IRFS23N15D is a power MOSFET that offers low on-state resistance and high current handling capability. It is designed to efficiently switch and control high power levels in applications such as power supplies, motor drives, and other high-current applications.
High current handling capability
Features
HEXFET® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
150 V Drain to Source Voltage (Vdss)
23A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
90mOhm @ 14A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
56 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
1200 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.8W (Ta), 136W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 23A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 90 мОм @ 14 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 56 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1200 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,8 Вт (Ta), 136 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23