Свяжитесь с нами
pусский
IRFS23N20D

Infineon IRFS23N20D

N-канальный200 V24A (Tc)5,5 В @ 250 мкА3,8 Вт (Ta), 170 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IRFS23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IRFS23N20D Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽572.82

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Benefits● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce   Switching Losses● Fully Characterized Capacitance Including   Effective COSS to Simplify Design, (See   App. Note AN1001)● Fully Characterized Avalanche Voltage   and Current

Applications● High frequency DC-DC converters

Features

HEXFET® Series


  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

  • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current



D2PAK Supplier Device Package

Applications


  • High frequency DC-DC converters


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 24A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 100 мОм @ 14 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 86 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1960 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,8 Вт (Ta), 170 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z