Свяжитесь с нами
pусский
IRFS3107PBF

Infineon IRFS3107PBF

N-канальный75 V195A (Tc)4 В @ 250 мкА370 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IRFS3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
IRFS3107PBF Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽174.65

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.

A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.

Features

HEXFET® Series


High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Uninterruptible Power Supply

High Speed Power Switching

Hard Switched and High Frequency Circuits

 

D2PAK Supplier Device Package

Applications


 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Lead-Free


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Снято с производства в
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 195A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3 мОм @ 140 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 240 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 9370 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 370 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z