Infineon IRFS4229PBF
N-канальный250 V45A (Tc)5 В @ 250 мкА330 Вт (Тс)-40°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRFS4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
₽215.93
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.
Features
HEXFET® SeriesAdvanced Process Technology
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,
Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low EPULSE Rating to Reduce Power
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery
and Pass Switch Applications
Low QG for Fast Response
High Repetitive Peak Current Capability for
Reliable Operation
Short Fall & Rise Times for Fast Switching
175°C Operating Junction Temperature for
Improved Ruggedness
Repetitive Avalanche Capability for Robustness
and Reliability
D2PAK Supplier Device Package
Applications
switching applications
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Снято с производства в
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 45A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 48 мОм @ 26 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 110 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 4560 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 330 Вт (Тс)
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK