Infineon IRFS4610
N-канальный100 V73A (Tc)4 В @ 100 мкА190 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRFS4610
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
₽25.44
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Features
HEXFET® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
73A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
14mOhm @ 44A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 100µA Vgs(th) (Max) @ Id
140 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
3550 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 73A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 14 мОм @ 44 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 140 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3550 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 190 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB