Infineon IRFU9120N
P-канал100 V6.6A (Tc)4 В @ 250 мкА40 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIRFU9120N
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
₽13.16
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.
● Ultra Low On-Resistance ● P-Channel ● Surface Mount (IRFR9120N) ● Straight Lead (IRFU9120N) ● Advanced Process Technology ● Fast Switching ● Fully Avalanche Rated
Features
HEXFET® Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 100 mJ
based on its rated peak drain current 26A.
a 100V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
IRFU9120N applications of single MOSFETs transistors.
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6.6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 480 мОм @ 3,9 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 27 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 350 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: IPAK (TO-251AA)
Упаковка / Кейс: TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK