Свяжитесь с нами
pусский
IRLL3303PBF

Infineon IRLL3303PBF

N-канальный30 V4,6A (Ta)1 В @ 250 мкА1 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IRLL3303PBF
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
IRLL3303PBF Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Features

HEXFET® Series


  • Surface Mount

  • Dynamic dv/dt Rating

  • Logic-Level Gate Drive

  • Fast Switching

  • Ease of Paralleling

  • Advanced Process Technology

  • Ultra Low On-Resistance

  • Lead-Free



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4,6A (Ta)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 31 мОм @ 4,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 50 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 840 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z