Infineon IRLML0040TRPBF
N-канальный40 V3,6 А (Ta)2,5 В @ 25 мкА1,3 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
₽7.49
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Features
HEXFET® Seriesa continuous drain current (ID) of 3.6A
a drain-to-source breakdown voltage of 40V voltage
the turn-off delay time is 6.4 ns
a threshold voltage of 1.8V
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
IRLML0040TRPBF applications of single MOSFETs transistors.
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3,6 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 56 мОм @ 3,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 25 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 3,9 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 266 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,3 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Micro3™/SOT-23
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK