Свяжитесь с нами
pусский
IRLML0100TRPBF

Infineon IRLML0100TRPBF

N-канальный100 V1,6A (Ta)2,5 В @ 25 мкА1,3 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽1.60

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Features

HEXFET® Series


  • Industry-standard surface-mount power package

  • Product qualification according to JEDEC standard

  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

  • Softer body-diode compared to previous silicon generation

  • In the SOT-23-3 package



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Battery protection

  • SMPS

  • DC switch

  • Load switch

  • Inverters


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,6A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 220 мОм @ 1,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 25 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2,5 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 290 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,3 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Micro3™/SOT-23
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z