Infineon IRLML5203
P-канал30 V3A (Ta)2,5 В @ 250 мкА1,25 Вт (Ta)Поверхностный монтаж
СравнитьIRLML5203
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
₽2.31
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
-Ultra Low On-Resistance-P-Channel MOSFET-Surface Mount-Available in Tape & Reel-Low Gate Charge
DescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit provides the designer with an extremely efficientdevice for use in battery and load managementapplications.A thermally enhanced large pad leadframe has beenincorporated into the standard SOT-23 package toproduce a HEXFET Power MOSFET with the industryssmallest footprint. This package, dubbed the Micro3TM,is ideal for applications where printed circuit boardspace is at a premium. The low profile (<1.1mm) ofthe Micro3 allows it to fit easily into extremely thinapplication environments such as portable electronicsand PCMCIA cards. The thermal resistance andpower dissipation are the best available.
Features
HEXFET® SeriesUltra-Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Low Gate Charge
Lead-Free
RoHS Compliant, Halogen-Free
Applications
Portable media players?
Handheld game consoles
Portable computers
Body camera
PCMCIA cards
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 98 мОм @ 3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 14 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 510 пФ при 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,25 Вт (Ta)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Micro3™/SOT-23
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK