Infineon IRLR8721PBF
N-канальный30 V65A (Tc)2,35 В @ 25 мкА65 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIRLR8721PBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
₽3.32
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
IRLR8713TRPBF with pin details manufactured by IR. The IRLR8713TRPBF is available in TO-252 Package, is part of the IC Chips.
IRLR8721 with circuit diagram manufactured by IR. The IRLR8721 is available in SOT-252 Package, is part of the FETs - Single.
Features
HEXFET® Seriesa 30V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Rochester Electronics, LLC
IRLR8721PBF applications of single MOSFETs transistors.
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 65A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 8,4 мОм @ 25 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,35 В @ 25 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 13 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1030 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 65 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D-Pak
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23